:127::salam::127:
سبب الاختراع:-
تم اختراعه بسبب عيوب الصمامات المفرغة من استهلاك عالي للقدرةوانعدام الجساءة الميكانيكية وايضا كبر الحجم والوزنوقد ظهر اول تطبيق له فيالحرب العالمية الثانيةب- انواعه:-
يمكن تقسيمه من حيث الانواع الاساسية كمايلي:-
BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR BJTاو الترانزيستور ثنائي الوصلة وينقسمالي نوعين وهما:-
NPN,PNP
والنوع الاول NPNهو المستخدم في معظم التطبيقاتبسبب ان حاملات الشحنة الرئيسية فيه هي الاليكترونات وهي تتميز بالسرعة في الحركةخلال مادة شبه الموصل لذلك يستخدم في تطبيقات الفتح والغلق"SWICHING"والتطبيقاتالاخري التي تتطلب زمن تاخر"DELAY TIME"صغير جداوالنوع الثاني PNPتكون حاملاتالشحنة فيه هي الفجوات او بمعني اخر الايونات وهي الذرة التي تفقد اليكترون ولايستخدم بكثرة حيث ان امكانية الفجوة علي الحركة تكون بسرعة اقل بكثير منالاليكترونات "الثلث تقريبا"
ويشتركان في ان لكل منهما ثلاث اقطاب هيالقاعدة"BASE"والباعث"EMITTER"والمجمع"COLLECTOR"ولك ن يختلفان في التغذية حيث اناالباعث في النوع الاول يتصل بالارضي او بجهد سالب بينما في النوع الاخر يتصل بجهدموجب اذا اتصل المجمع بالارض او بالارض اذا اتصل المجمع بجهد سالب بينما الطرفالثالث او القاعدة فانه يمثل طرف الدخل ويتحدد علي ساسه منطقة عمل الترانزيستور اذاكانACTIVE,SATURATION,CUT OFF
وطبعا هذه المناطق تحدد التطبق الذي يستخدم فيهالترانزستور وشرحها يطول وان شاء الله ساحاول شرحها لك ولكن ليس الان كي لااطيلFIELD EFFECT TRANSISTOR FETوهو النوع الثاني من انواع الترانزستورولكنه يختلف قليلا عن النوع الاول وينقسم الي عدة انواع منها:-
JFET or JUNCTION FILED EFFECT TRANSISTOR
ويعتمد تشغيله علي وجود وصلة واحدة من شبه الموصل متصلةبجزء اخر معدني يتحدد علي اساس المجال المطبق عليه منطقة عمل الترانزستور
MSFET or METAL SEMICONDUCTOR FIELD EFFECT TRANSISTOR
وتشغيله مشابه للنوع السابق معبعض الاختلافات في التطبيق
MOSFET or metal oxide semiconductor field effect transistor
وهو اهم هذه الانواع لانه يعتمد علي وجود طبقة اكسيد بين شبه الموصلوالمعدن وهي التي تجذب الاليكترونات او الفجوات من باطن شبه الموصل الي حدود طبقةالاكسيد وعليها يتحدد كمية التيار الماروايضا هذا النوع هو اساس علم تكنولوجياتصنيع الدوائر المتكاملة ذات التدريج متعاظم الصغر اوVERY LARG SCALE INTEGRATED CIRCUITS TECH VLSI
وعموما انواع الترانزستور ذات التاثير المجالي تنقسم الينوعين وهما :-
N CHANNEL FETs
والتي يكون فيها شبه الموصل من النوع p typeتحتالسطح المعدني بينما الاطراف الاخري يكون من النوع n type
P CHANNEL FETs
وهوعكس النوع السابق من حيث نوع شبه الموصلواقطابه هي:-
source:-وهو الذي تتجهاليه الالليكترونات او الفجوات عبر القناة وهو يعمل عمل الباعث في نوع ثنائيالوصلة
drain:-وهو الذي تنطلق منه الاليكترونات او الفجوات وهو يعمل عمل لبمجمعفي النوع ثنائي الوصلة
gate:-وهو قطب التحكم او الدخل حيث يتحدد علي اساسه منطقةعمل الترانزستور وهو يعمل عمل القاعدة في النوع الاخروالفرق الرئيسي بينترانزيستور التاثير المجالي وثناءي الوصلة ان الاول يعتمد علي الجهد المطبق عليالبوابة gateلانتاج المجال المطلوب للتشغيل بينما النوع الاخر فيعتمد علي التيارالمار في القاعدة لانتاج ظروف تيار المجمع المطلوبوذلك بافتراض صحة ظروفالتشغيل واتجاه التيار التقليدي وليس الحديثوللترانزستور من النوعين تطبيقاتعديدة مثل مفاتيح التحكم swichesوايضا مصدر الجهد الثابتconstant current sourceوهذا كله يتبع التيار المستمر اوdirect currentولكن المكبرات سواء كانتمكبرات جهد او تيار فانها تعمل علي ac or alternating currentوهو التيار المترددوهناك الكثير والكثير من التطبيقات التي يطول شرحها ولكني اكتفي بهذا واتمني اناكون اختصرت واتيت ببعض والمطلوب
منقول
:eh_s(7):سهام:eh_s(7):


http://www.up.5alid.com/up/uploads/33f63eb4f5.gif (http://www.up.5alid.com/up)